Name: Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT2H12NYTB
Price: 4.8894 USD
Availability: InStock
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Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB

Artikelnummer:

SCT2H12NYTB

Hersteller / Marke:

LAPIS Technology

Teil der Beschreibung.:

SICFET N-CH 1700V 4A TO268

Datenblätte:

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RoHs Status:

ROHS3 -konform

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SCT2H12NYTB.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 410µA
Vgs (Max)	+22V, -6V
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-268
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Verlustleistung (max)	44W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	184 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 18 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A (Tc)
Grundproduktnummer	SCT2H12
SCT2H12NYTB Einzelheiten PDF [English]	SCT2H12NYTB PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

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- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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